關于碳化硅，不可不知的10件事！
2021-10-11
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中國粉體網訊
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。得益于出色的物理和電子特性，基于 SiC 的功率器件正在推動電力電子設備的徹底變革。盡管這種材料早已為人所知，但它作為半導體的使用相對較新，這在很大程度上是由于大型和高質量晶片的可用性。近幾十年來，人們的努力集中在開發特定且獨特的高溫晶體生長工藝上。盡管 SiC 具有不同的多晶型晶體結構（也稱為多型），但 4H-SiC 多型六方晶體結構最適合高功率應用。01碳化硅的主要性能有哪些？硅與碳的結合使這種材料具有出色的機械、化學和熱性能，包括：· 高導熱性· · 低熱膨脹和優異的抗熱震性· · 低功率和開關損耗· · 高能效· · 高工作頻率和溫度（工作溫度高達 200°C 結點）· · 小芯片尺寸（具有相同的擊穿電壓）· · 本征……
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