中國粉體網訊 化學機械拋光（CMP）借助于拋光液中化學試劑的化學腐蝕和納米磨粒的機械磨削雙重耦合作用，可以在原子水平上實現材料的去除，可以在0.35μm及其以下尺寸器件上同時實現局部和全局平坦化，被廣泛應用于光學元件、計算機硬盤、微機電系統、集成電路等領域。
CMP制程原理圖
在CMP過程中，拋光液(漿料)對拋光效果起到至關重要的影響，其主要作用是在晶片表面產生化學反應，所形成的反應物再由磨料的機械摩擦作用去除。在化學成膜與機械去膜的交替過程中，通過化學與機械的共同作用從工件表面去除極薄的一層材料，最終實現晶片的超精密表面加工。CMP拋光液一般由去離子水、磨料以及pH調節劑、氧化劑、分散劑和表面活性劑等化學助劑等組成，有利于提升CMP的綜合效果。
浙江博來納潤電子材料有限公司（簡稱“博來納潤”）專注于為泛半導體行業平坦化材料提供整體解決方案，致力于電子級納米氧化硅磨料、泛半導體用CMP拋光液、拋光墊等產品的技術研發和產業化，為半導體襯底等材料的納米級平坦化提供工藝材料整體解決方案。
公司主要產品包括硅溶膠、拋光液、拋光墊，應用領域涵蓋碳化硅襯底CMP制程、硅襯底CMP制程、集成電路CMP制程、其他泛半導體材料CMP制程。
公司本次推出多款拋光液，具備不同性能特點。
來源：博來納潤
該產品線覆蓋6寸、8寸、12寸硅片的拋光需求，產品具備優異的去除速率、循環穩定性、儲存穩定性和拋光后低金屬離子殘留等優勢；并且拋光液中最重要的成分——硅溶膠研磨顆粒，全部使用自產硅溶膠，既能保障供應鏈的安全性，又能使產品在市場推廣中具備成本優勢。
參考來源：
1.中國粉體網、博來納潤
2.曹威等，化學機械拋光墊的研究進展
3.嚴嘉勝等，硅晶片化學機械拋光液的研究進展
（中國粉體網編輯整理/山林）
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