中國粉體網訊 2025年8月21日，由中國粉體網主辦的“第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店成功召開！大會期間，中國粉體網記者有幸邀請到多位專家、企業界代表做客我們的“對話”欄目暢談碳化硅半導體前沿技術、裝備與產業化進展，共同展望這一戰略性材料的無限潛能。本期為您分享的是杭州晶馳機電有限公司研發經理趙聰的專訪。
杭州晶馳機電有限公司研發經理趙聰
中國粉體網：趙經理，您好，請問公司關于碳化硅主要有哪些不同功能類型的設備？
趙經理：公司碳化硅系列設備主要包括碳化硅晶體生長爐、外延爐、熱壓爐、退火爐、晶片腐蝕爐等。晶體生長爐是采用物理氣相傳輸法（PVT）生長高品質SiC晶體的設備，包括感應式和電阻式兩種類型的設備我們都在銷售；外延爐是采用低壓化學氣相沉積（LPCVD）在SiC襯底上生長高質量同質外延薄膜的設備，有水平式和立式兩種爐型都在銷售；熱壓爐是將籽晶與石墨托牢固粘接和碳化的設備；退火爐是用于碳化硅晶錠和碳化硅晶片的高溫退火的設備，主要作用是降低晶片缺陷和應力；晶片腐蝕爐是采用濕法化學腐蝕，集腐蝕、清洗、烘干為一體的自動化設備。
中國粉體網：公司最新的碳化硅單晶生長設備，其在性能上有哪些突出優勢或者比較之前的設備有哪些技術升級？
趙經理：設備具有兩個溫區的配置，更符合PTV法下部粉料高溫升華，上部籽晶低溫結晶的物理過程；兩個溫區相互獨立可控，既可實現溫控又可以實現功率控制；采用上下溫度控制，不用考慮保溫的老化問題，可以實現工藝的簡單和標準化，爐次的一致性比較好，單晶生產良率高。獨特的熱場保溫設計，保證不存在熱場石墨件的打火現象，熱場穩定性高，使用壽命長，設備功率因數達到90%以上，設備能耗低。可實現生長坩堝的旋轉，保證晶體生長的熱場均勻；坩堝慢提拉功能保證晶體生長面始終處于合適的生長位置，保證晶體的面形。自主開發的加熱電源分級設置，不同分級適用不同熱場；爐子完全兼容6寸，8寸和12寸導電型，半絕緣型和光學級晶體生長，客戶只需一次設備投入，從容面對市場需求和市場變化。
中國粉體網：公司的碳化硅晶片腐蝕爐，可以介紹下工藝流程嗎？
趙經理：主要工藝流程可按腐蝕-噴淋-清洗-烘干這四個步驟。設備采用四工位設計，全封閉工作臺和強排風系統，有效防止腐蝕性堿蒸汽對操作人員的身體傷害。該系統集SiC晶片熱強堿腐蝕、快速清洗，再次超聲清洗和晶片烘干為一體，充分避免了操作人員與腐蝕性強堿溶劑的接觸。整個工藝流程全部自動化控制，操作人員只需完成取放片操作，腐蝕效率高，適合產業化應用。
中國粉體網：目前碳化硅設備研發方面存在哪些技術難點？
趙經理：我公司的核心技術有特氣混合進氣技術、穩定流場及熱場的控制技術、高溫取片技術、腔體防沉積技術、同爐多層結構摻雜技術等；長晶設備主要是電阻法單晶爐在石墨加熱器設計方面，感應法單晶爐需要考慮線圈規格尺寸與電源及熱場的匹配性；外延設備難點主要在熱場設計，電阻加熱與感應加熱的取舍，以及溫控精度，氣體流場設計確保氣體的均勻性等。腐蝕爐有強堿溶液的測溫、溫控精度、堿溶液層間溫度均勻性控制等技術難點。
中國粉體網：針對碳化硅設備的市場需求，公司接下來有哪些產品布局計劃？
趙經理：長晶設備自動化產線，外延設備多腔體多層外延層定制化，腐蝕爐設備個性化訂制還有大尺寸金剛石設備等。
（中國粉體網編輯整理/石語）
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