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分析報告
高溫煅燒氧化鋁市場交投氛圍一般 個別地區開始出現下行趨勢
中國粉體網訊 市場概述本周，國內高溫煅燒α氧化鋁粉市場行情維穩，個別企業價格有下調，整體大穩小動。高溫粉企業目前裝置開工相對正常，產量平穩，下游需求疲軟，尤其耐火材料行業，據了解，由于高溫煅燒粉價格高位，耐材行業開始更換原材料。另外，市場需求欠佳，企業庫存增加明顯。目前，山東地區煅燒原粉主流出廠價格在4500-4850元/噸，普通煅燒325目微粉主流出廠價格在4830-5150元/……
11-05
成本端持續加壓，碳化硅微粉價格上行
市場概述：本周，碳化硅微粉價格仍呈高位運行，成本端支撐強勁，山東部分生產綠碳化硅微粉的企業上調產品價格，上調幅度在500-1000元/噸。據粉體網了解，截止至發稿，山東地區綠碳化硅微粉系列的反應燒結用的W14、W10的主流價格在17500-20000元/噸，另外無壓燒結用的W0.5的主流價格在25800-26500元/噸……
11-05
金屬鋰價格漲勢強
中國粉體網訊 本周金屬鋰價格漲勢強，市場觀望情緒濃厚。廠家報價上行，市場……
11-04
氧化鈣簡析
中國粉體網訊 生石灰（氧化鈣）生石灰很便宜、也容易得到。生石灰中的主要成分就是氧化鈣。生石灰中氧化鈣含量的高低可以從肉眼判斷，氧化鈣含量高的生石灰是白色，如果生石灰氧化鈣含量稍低、含有雜質，生石灰則會呈偏黃色。生石灰用于清塘非常理想，清塘時可以選已粉碎的生石灰按50公斤/畝的量，均勻干撒于已抽干水的底泥上，進10到20公分的水，讓生石灰在泥中自然發熱、熟化轉化為熟石灰。這個過程中，會達到以下目的：一、生石……
10-30
碳酸鈣產業周報
中國粉體網訊1桂林市興安縣 以績效管理力促碳酸鈣產業園建設 近年來，興安縣嚴關鎮依托境內碳酸鈣資源豐富、交通便利優勢，引進桂林碳酸鈣科技產業園項目，抓住碳酸鈣企業轉型契機，全力助推碳酸鈣加工企業走可持續發展道路。 為確保產業園和入園企業發展，該鎮以績效管理為抓手，以打造華南地區碳酸鈣產業制造中心為目標，實行“兩個一”工作法與安排相關副職領導一對一結對入園企業進行幫助，全力推進園區基礎設施建設，全力服務入園企業落地投產。 據悉，10月初已有10家大型碳酸鈣企業入駐，江河新型建材、隆元建……
10-29
碳化硅微粉價格漲勢不減，下游磨具企業生產遇冷
市場概述：本周，碳化硅微粉價格繼續高位運行，山東個別企業采取一單一議，暫不報價。同時受環保的影響，1200#黑綠碳化硅微粉部分企業已經停止生產。據粉體網了解，截止至發稿，山東地區綠碳化硅微粉系列的反應燒結用的W14、W10的主流價格在17000-17800元/噸，另外無壓燒結用……
10-22
氫氧化鋁微粉價格穩中見漲
中國粉體網訊 本周，受工業級氫氧化鋁的價格上漲的影響，國內的氫氧化鋁微……
10-21
國內高溫粉市場下游需求一般 市場相對維穩
中國粉體網訊市場概述本周，國內高溫粉市場整體走勢尚可，供需關系略顯緊張。據了解，隨著工業氧化鋁價格的不斷上漲，高溫煅燒氧化鋁粉價格目前高位徘徊，多數終端下游成本大幅增加，成本壓力導致終端企業采購積極性一般，除持續消化庫存外按需采購為主。周初，山東個別企業價格上調300元/噸，當前山東地區煅燒原粉主流出廠價格在4730-4850元/噸，普通煅燒325目微粉主流價格漲后在5060-5……
10-21
高溫氧化鋁價格穩中上揚
中國粉體網訊 市場概述本周，國內高溫煅燒α氧化鋁價格穩中有漲，市場成交一般，下游積極性不高，消化庫存為主。國慶節后，山東以及河南地區部分企業價格上調，10月15日山東地區部分企業價格再度上漲。據了解，當前山東地區煅燒原粉價格漲后在4430-4850元/噸，普通煅燒325目微粉主流價格漲后在4760-5150元/噸。河南地區煅燒原粉主流價格在4550元/噸，煅燒5μm微粉主流價格在5600-6000元/噸。多數企業生產相對穩定，處于供銷相……
10-15
碳化硅微粉價格頻繁上漲，下游陶瓷企業接單積極性不高
市場概述：本周，碳化硅微粉價格頻繁上漲，據粉體網了解，受原料價格上漲影響，節后國內的碳化硅微粉價格普遍上調。針對報價混亂，庫存不足的市場現象，山東個別企業采取一單一議，暫不報價。據粉體網了解，截止至發稿，山東地區綠碳化硅微粉系列的反應燒結用的W14、W10的主流價格在17000-17500元/噸，另外無壓燒結用的W0.……
10-15
關于碳化硅，不可不知的10件事！
碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩定性。寬帶隙和高熱穩定性允許 SiC器件在高于硅的結溫下使用，甚至超過 200°C。碳化硅在功率應用中的主要優勢是其低漂移區電阻，這是高壓功率器件的關鍵因素。得益于出色的物理和電子特性，基于 SiC 的功率器件正在推動電力電子設備的徹底變革。盡管這種材料早已為人所知，但它作為半導體的使用相對較新，這在很大程度上是由于大型和高質量晶片的可用性。近幾十年來，人們的努力集中在開發特定且獨特的高溫晶體生長工藝上。盡管 SiC 具有不同的多晶型晶體結構（也稱為多型），但 4H-SiC 多型六方晶體結構最適合高功率應用。01碳化硅的主要性能有哪些？硅與碳的結合使這種材料具有出色的機械、化學和熱性能，包括：· 高導熱性· · 低熱膨脹和優異的抗熱震性· · 低功率和開關損耗· · 高能效· · 高工作頻率和溫度（工作溫度高達 200°C 結點）· · 小芯片尺寸（具有相同的擊穿電壓）· · 本征……
10-11
第三代半導體材料之碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業主要進步發展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。可預見的未來內，新能源汽車是碳化硅功率器件的主要應用場景。特斯拉作為技術先驅，已率先在Model 3中集成全碳化硅模塊，其他一線車企亦皆計劃擴大碳化硅的應用。隨著碳化硅器件制造成本的日漸降低、工藝技術的逐步成熟，碳化硅功率器件行業未來可期。什么是碳化硅碳化硅（SiC）是第三代化合物半導體材料。半導體產業的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照歷史進程分為：第一代半導體材料（大部分為目前廣泛使用的高純度硅），第二代化合物半導體材料（砷化鎵、磷化銦），第三代化合物半導體材料（碳化硅、氮化鎵） 。碳化硅因其優越的物理性能：高禁帶寬度（對應高擊穿電場和高功率密度）、高電導率、高熱導率，將是未來最被廣泛使用的制作半導體芯片的基礎材料。　　碳化硅在半導體芯片中的主要形式為襯底。半導體芯片分為集成電路和分立器件，但不論是集成電路還是分立器件，其基本結構都可劃分為“襯底-外延-器件” 結構。碳化硅在半導體中存在的主要形式是作為襯底材料。　　碳化硅晶片是碳化硅晶體經過切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片.　　碳化硅晶片作為半導體襯底材料，經過外延生長、器件制造等環節，可制成碳化硅基功率器件和微波射頻器件，是第三代半導體產業發展的重要基礎材料。　　根據電阻率不同，碳化硅晶片可分為導電型和半絕緣型。其中，導電型碳化硅晶片主要應用于制造耐高溫、耐高壓的功率器件，市場規模較大；半絕緣型碳化硅襯底主要應用于微波射頻器件等領域，隨著 5G 通訊網絡的加速建設，市場需求提升較為明顯。碳化硅加工工藝研究　　SiC的硬度僅次于金剛石，可以作為砂輪等磨具的磨料，因此對其進行機械加工主要是利用金剛石砂輪磨削、研磨和拋光，其中金剛石砂輪磨削加工的效率最高，是加工SiC的重要手段。但是SiC材料不僅具有高硬度的特點，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產生較為嚴重的表面與亞表層損傷，影響加工精度。因此，深入研究SiC磨削機理與亞表面損傷對于提高SiC磨削加工效率和表面質量具有重要意義。　　1、硬脆材料的研磨機理　　對硬脆材料進行研磨，磨料對其具有滾軋作用或微切削作用。磨粒作用于有凹凸和裂紋的表面上時，隨著研磨加工的進行，在研磨載荷的作用下，部分磨粒被壓入工件，并用露出的尖端劃刻工件的表面進行微切削加工。另一部分磨粒在工件和研磨盤之間進行滾動而產生滾軋作用，使工件的表面形成微裂紋，裂紋延伸使工件表面形成脆性碎裂的切屑，從而達到表面去除的目的。　　因為硬脆材料的抗拉強度比抗壓強度要小，對磨粒施加載荷時，會在硬脆材料表面的拉伸應力的最大處產生微裂紋。當縱橫交錯的裂紋延伸且相互交叉時，受裂紋包圍的部分就會破碎并崩離出小碎塊。此為硬脆材料研磨時的切屑生成和表面形成的基本過程。　　由于碳化硅材料屬于高硬脆性材料，需要采用專用的研磨液，碳化硅研磨的主要技術難點在于高硬度材料減薄厚度的精確測量及控制，磨削后晶圓表面出現損傷、微裂紋和殘余應力，碳化硅晶圓減薄后會產生比碳化硅晶圓更大的翹曲現象。　　2、碳化硅的拋光加工研究　　目前碳化硅的拋光方法主要有：機械拋光、磁流變拋光、化學機械拋光（CMP）、電化學拋光（ECMP）、催化劑輔助拋光或催化輔助刻蝕（CACP/CARE）、摩擦化學拋光（TCP，又稱無磨料拋光）和等離子輔助拋光（PAP）等。　　化學機械拋光（CMP）技術是目前半導體加工的重要手段，也是目前能將單晶硅表面加工到原子級光滑最有效的工藝方法，是能在加工過程中同時實現局部和全局平坦化的唯一實用技術。　　CMP的加工效率主要由工件表面的化學反應速率決定。通過研究工藝參數對SiC材料拋光速率的影響，結果表明：旋轉速率和拋光壓力的影響較大；溫度和拋光液pH值的影響不大。為提高材料的拋光速率應盡量提高轉速，雖然增加拋光壓力也可提高去除速率，但容易損壞拋光墊。　　目前的碳化硅拋光方法存在著材料去除率低、成本高的問題，且無磨粒研拋、催化輔助加工等加工方法，由于要求的條件苛刻、裝置操作復雜，目前仍處在實驗室范圍內，批量生產的實現可能性不大。　　人類1905年 第一次在隕石中發現碳化硅，現在主要來源于人工合成，碳化硅有許多用途，行業跨度大，可用于單晶硅、多晶硅、砷化鉀、石英晶體等、太陽能光伏產業、半導體產業、壓電晶體產業工程性加工材料。碳化硅加工工藝流程 碳化硅晶片是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT） 生長碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片。　　①原料合成。將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高溫下反應合成碳化硅顆粒。再經過破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長要求的高純度碳化硅微粉原料。　　②晶體生長。以高純……
10-11
為何碳化硅被稱為“千億風口”？
今年以來，各省、地方相繼出臺第十四個五年規劃和二O三五年遠景目標綱要等發展規劃，其中先進陶瓷被多個省份寫入發展規劃之中，其中碳化硅及相關材料受到“重點照顧”，這預示著碳化硅產業勢必將迎來新一階段快速發展時期。說起近幾年最火的材料，碳化硅絕對算是其中一個。碳化硅產業及技術信息鋪天蓋地，層出不窮，一片火熱景象。同時，粉體網編輯注意到，近年來各種涉及到碳化硅的消息幾乎都和半導體有關，甚至一些業內人士在未說明應用領域的情況下，只對其在半導體方向的發展應用長篇大論，而對其作為一種優良的陶瓷、耐火、磨削等材料只字不提。雖然碳化硅在傳統領域的市場潛力遠遠沒有半導體領域那么大，但不可否認的是，碳化……
10-11
碳酸鈣產業周報
一、全國碳酸鈣漲價 9月25日前后，受能耗雙控、原材料漲價、限電等因素影響，全國多家碳酸鈣企業開始較大幅度上調產品價格，平均每噸價格上漲約100~150元左右。 在此期間，東莞市五全新材料有限公司、江西創先精細鈣業有限公司、江西勢通鈣業有限公司、安徽力豐實業、湖南皕成科技股份有限公司、貴族紅星發展進出口有限責任公司等諸多企業，都先后發布調價函，漲價幅度相近約100~200元。 產品價格上調 二、廣西“十四五”大力發展精品碳酸鈣 9月28日，廣西壯族自治區人民政府關于印發廣西戰略性新興產業發展“十四五……
10-11
真沒想到！氣流粉碎對高純氧化鋁影響這么大！
高純氧化鋁是指純度大于99.99%、粒度均勻的超細粉體材料。由于其具有無比優越的物理、熱學、光學、力學性能，是眾多行業的重要工業材料，也是21世紀新材料中產量大、產值最高、用途最廣的尖端材料之一。然而氧化鋁在制備過程中存在著粒徑分布不均勻、晶粒尺寸較大、團聚現象嚴重等缺點，嚴重制約了其應用前景。氣流粉碎是一種較新型的粉碎工藝……
10-08
5N高純氧化鋁1500噸中試生產線實現穩產運行
利用國內首套具有完全自主知識產權的超高純氧化鋁提純工藝及裝備，將鋁錠加工成鋁箔，再經過水解和燒結，最終形成氧化鋁粉……
10-08
4N-5N高純氧化鋁概念及應用
高純氧化鋁為一種白色晶狀粉末，通常分為3N（純度99.9%），4N（純度 99.99%），5N（純度99.999%）三種，高純氧化鋁具有燒結性能好、分散性能好、具有多孔性等特點。4N高純氧化鋁，主要應用于節能燈行業、稀土三基色熒光粉。5N 高純氧化鋁用于制作藍寶石晶體和鋰電池陶瓷隔膜，藍寶石晶體穩定性好、機械強度高、易于清洗，是理想的LED 襯底材料。在節能標準要求下，藍寶石的用量會大幅提高，5N 高純氧化鋁的需求量也會增加。此外，隨著藍寶石……
10-08
5N高純氧化鋁1500噸中試生產線實現穩產運行
……
10-08
碳化硅微粉價格高位運行，個別企業采取一單一議
市場概述：本周，原料價格頻繁上漲，據粉體網了解，甘肅的能評手續不全和寧夏的限產都成為原料價格上漲的導火索。針對原料價格上漲，碳化硅微粉企業價格上調幅度在500-1000元/噸。山東個別企業表示暫時不接受長期訂單，采取一單一議。山東地區綠碳化硅微粉系列的反應燒結用的W14的主流價格在16500-17500元/噸，無壓燒結用的W0.5的主流價格在23200-25500元……
09-30
氫氧化鋁微粉小幅度調漲
中國粉體網訊 本周，受工業級氫氧化鋁的價格上漲的影響，國內的氫氧化鋁微粉的價格……
09-30
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