生長方法：氣煉法/合成主要成分：SiO2密度：2.2g/cm^3熔點(diǎn)：1730℃莫氏moh’s硬度：7**安全使用溫度（連續(xù)）：1000-1100℃**安全使用溫度（短時(shí)間）：1300-1400℃耐熱急變溫度：800-1100℃熱膨脹系數(shù)CTE：5.4*10^(-7)介電常數(shù)（0～10^6Hz）：3.7（常溫）電導(dǎo)率（S/m）：10^(-17)~10^(-16) （20℃ ）顏色：透明
