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半導體制造用高純超細立方SiC微粉
報價:面議
品牌: 博爾
產地: 西安
關注度: 7021
型號: --
核心參數

顏色:黑色

目數:0~0.1μm

品級:

制作方法:自主專利技術

主成分含量:99.99%~99.9999%

存儲條件:專業儲存

密度:99.99%~99.9999%

純度:99.99%~99.9999%

莫氏硬度:粉體

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產品介紹

  由高純度(99.99%~99.9999%)、精細(0~0.1μm)微粉和粒度為50~800μm的單晶β-SiC做母源,經氣相沉積法可制造各種單晶碳化硅,其優異的導電、導熱、耐磨、耐高溫、耐腐蝕性使其在**、航天、航空、電子行業等高尖端領域用來替代電子級單晶硅和多晶硅,成為當前高科技領域公認的第三代半導體材料和LED等應用的電子封裝、基板材料。

西安博爾



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西安博爾新材料有限責任公司為您提供博爾半導體制造用高純超細立方SiC微粉,半導體制造用高純超細立方SiC微粉產地為西安,屬于碳化硅粉,除了半導體制造用高純超細立方SiC微粉的參數、價格、型號、原理等信息外,還可為您提供立方SiC微粉、黑碳化硅復合流體磨料、β/α- SiC研磨介質球。
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91610137073435275H

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