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氮化鎵 (GaN)
報價：面議
| 品牌： | |
| 產地： | 江蘇 |
| 關注度： | 1160 |
| 型號： | N 型（硅摻）自支撐氮化鎵 |
產品介紹
氮化鎵（GaN）半導體禁帶寬度大、導熱率高，GaN器件可在200℃以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高；較大禁帶寬度和絕緣破壞電場，使得器件導通電阻減少，有利與提升器件整體的能效；電子飽和速度快，以及較高的載流子遷移率，可讓器件高速地工作。
常用規格：
N 型（硅摻）自支撐氮化鎵
尺寸：10*10mm | 2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm
晶向：(0001) Ga face
電阻率： ≤ 0.05 ohm.cm
拋光：雙面拋光
N 型（非摻）自支撐氮化鎵
尺寸：10*10mm | 2英寸直徑50.8mm | 4英寸直徑100mm
晶向：(0001) Ga face
電阻率： ≤ 0.5 ohm.cm
拋光：單面拋光 | 雙面拋光
問商家
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江陰皓睿光電新材料有限公司為您提供氮化鎵 (GaN)，氮化鎵 (GaN)產地為江蘇，屬于其它無機材料，除了氮化鎵 (GaN)的參數、價格、型號、原理等信息外，還可為您提供藍寶石 (Sapphire)、碳化硅 (SiC)。
工商信息
企業名稱
江陰皓睿光電新材料有限公司
企業類型
信用代碼
91320281091491561A
法人代表
注冊地址
成立日期
注冊資本
有效期限
經營范圍
