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8英寸導電型碳化硅襯底
報價:面議
品牌: 華創晶瑞
產地: 浙江
關注度: 692
型號: 8英寸導電型碳化硅襯底
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產品介紹

技術優勢

   晶體利用率高,成本低  品質達到P-MOS級

   采用PVT長晶法

   籽晶粘結成功率接近100% 

   平均生長速度0.13-0.16mm/h 

   長晶良率高于行業水平

   加工良率達到90%

   有效的降低了單片成本。

   SiC 晶錠一致性非常優秀  

   晶片表面粗糙度0.075納米

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杭州華創晶瑞科技有限公司為您提供華創晶瑞8英寸導電型碳化硅襯底,8英寸導電型碳化硅襯底產地為浙江,屬于碳化硅粉,除了8英寸導電型碳化硅襯底的參數、價格、型號、原理等信息外,還可為您提供金剛石、2~6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底、4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底。
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杭州華創晶瑞科技有限公司

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91330105MADLG18HXL

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