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山東中臨半導體新材料有限公司成立于2023年3月,注冊資本4666萬元人民幣，建筑面積3.8萬平方米，立項總投資12億元(分二期完成)。項目達產后，實現年產值5億元，稅收2500萬元。是國內**的第三代半導體用戰新材料、國家高新技術及軍民融合企業，公司主要研發、生產、銷售航空航天用氮化硅、氮化鋁、氮化硼粉體及制品。企業通過了國軍標GJB9001B武器裝備質量管理體系認證。

公司與清華大學材料學院、山東大學材料科學與工程學院開展深入的產學研合作，自主研發的高壓等離子(物化)緩控自蔓延合成法工藝技術，是國內**家、全球第四家掌握該核心技術的企業；自主研發的氮化硅粉體用高壓等離子（物化）緩控自蔓延生產設備是國內單機容積**、產量**的關鍵設備，已通過國家首臺(套)重大技術裝備項目。

著作權，打破了國外在工藝、裝備技術領域的長期控制與壟斷，產品被國家列入戰略性新興材料名錄。公司是國家團體標準牽頭起草單位，編制了《熱管理材料用氮化鋁粉體制備技術要求》（第五位）、《高壓緩控自蔓延氮化硅粉體工藝技術規范》（第三位）等標準。

公司主要產品具有優質的機械、電學、熱學、耐化學腐蝕性能等特點，被廣泛應用于航空航天、武器裝備、5G通訊、醫療器械、半導體、新能源汽車、電子等領域。