中國粉體網訊 6月24日，據“經濟日報”消息，國研院國儀中心與鼎極科技合作，開發雷射研磨技術，解決碳化硅（SiC）晶圓制程遇到的成本、效率與良率瓶頸，現將與安森美捷克廠合作，進行技術驗證，從Beta-site測試開始，力拼試量產，并邁向量產階段。
碳化硅（SiC）作為第三代半導體的代表，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度高、導熱率大等特點，在1200V的高壓環境中優勢明顯。但碳化硅材料硬度高、脆性大、化學性質穩定，加工難度極大，傳統研磨方式在加工效率及品質良率上皆存在瓶頸，不僅耗時、研磨損耗多，且因其采取機械性加工，會在晶圓的表面造成損傷，甚至導致整片晶圓破裂，嚴重影響晶圓良率，大幅提升制造成本。
國研院國儀中心攜手鼎極科技開發雷射研磨技術，提升碳化硅晶圓所展示的樣品
來源：國研院
此次，國家實驗研究院國家儀器科技研究中心宣布與鼎極科技合作，共同開發紅外線奈秒雷射應用于碳化硅晶圓研磨制程的關鍵技術。為了解決成本過高、不良率太高的難題，國研院國儀中心運用精密光學與先進雷射的研發能量，成功導入紅外線奈秒級雷射系統，開發出專為碳化硅晶圓量產需求設計的雷射研磨技術。
國儀中心指出，此技術可將每片晶圓的研磨時間從3小時縮短為2小時，且不會造成晶圓損傷，晶圓破片率可自5%降至1%，大幅提高產品良率。其次，該技術將減少研磨造成的晶圓損耗，顯著降低維護成本，預計可減少前期晶圓制造超過10%的生產成本，后期晶圓后制程可再降低20％成本。此外，該技術可將碳化硅晶圓的硬度由原本約3000 HV（維氏硬度所用單位）降至60 HV，顯著降低后續加工的時間和成本。
目前紅外線奈秒雷射應用于碳化硅晶圓研磨制程的技術，已通過鼎極科技落地轉化。同時，美國晶片制造商安森美半導體公司（ONSemiconductor Corp.）捷克廠適逢擴廠，鼎極科技將與之強強聯手，從今年開始至2027年合作，進行技術驗證，從Beta-site測試開始，力拼試量產、甚至量產。目前安森美已將晶圓運來中國臺灣進行初步測試，Fine-tune（微調）之后就會將機臺整機運到捷克，鼎極科技也規劃在今年第4季于捷克設立服務中心，也盼將機臺推廣到歐洲。
國儀中心則指出，未來將與鼎極科技持續合作，推動此項技術商品化，并進一步擴展至8英寸碳化硅晶圓與多層異質結構元件的應用，也有機會應用于其他高硬度材料的精密加工，如氮化鎵、陶瓷基板與先進封裝材料。
來源：經濟日報、工商時報
（中國粉體網編輯整理/空青）
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