中國粉體網訊 近日，晶盛機電對外宣布，子公司浙江晶瑞SuperSiC的首條12英寸碳化硅襯底加工中試線已正式通線。這一里程碑事件標志著浙江晶瑞SuperSiC成功構建起從晶體生長、襯底加工到成品檢測的全環節設備自主研發體系，為我國碳化硅產業自主化發展再添關鍵支撐。
作為第三代半導體材料的核心代表，碳化硅襯底憑借其優異的耐高溫、耐高壓、高頻特性，在下游領域應用廣泛。其可用于制造功率半導體器件、射頻半導體器件，還能應用于光波導、TF-SAW濾波器、散熱部件等產品，覆蓋電動汽車、光伏及儲能系統、電力電網、軌道交通、通信設備、AI眼鏡、智能手機、半導體激光等多個戰略性新興行業，市場潛力巨大。
來源：晶盛機電
在半導體器件生產流程中，碳化硅襯底作為關鍵基礎材料，需歷經外延生長、芯片制造、封裝測試等多道復雜驗證工序，才能最終投入實際應用。相較于當前主流的8英寸碳化硅襯底，12英寸產品在單片晶圓上的芯片產出量可提升約2.5倍。這一優勢能在大規模量產過程中，顯著攤薄長晶、加工、拋光等環節的單位成本，成為推動下游應用成本大幅下降、加速碳化硅器件普及的關鍵路徑。
深耕半導體材料裝備領域多年，晶盛機電已圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大核心半導體材料，開發出一系列關鍵生產設備，并逐步向化合物襯底材料領域延伸，為全球半導體、光伏行業提供具備核心競爭力的高端裝備與高品質服務。作為晶盛機電旗下專注于化合物半導體材料的重要平臺，浙江晶瑞SuperSiC長期聚焦碳化硅和藍寶石拋光片的研發與生產，在技術積累與產業化落地方面成果豐碩。
目前，晶盛機電的碳化硅襯底材料業務已實現6-8英寸碳化硅襯底規模化量產與銷售，量產的碳化硅襯底核心參數指標達到行業一流水平，同時，公司積極推進8英寸碳化硅襯底在全球的客戶驗證，送樣客戶范圍大幅提升，產品驗證進展順利，并成功獲取部分國際客戶批量訂單。
在大尺寸碳化硅技術攻關方面，晶盛機電依托自主研發的碳化硅單晶生長爐，結合持續迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經過多年技術攻堅，創新研發出晶體生長溫場設計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體易開裂等核心技術難題，實現12英寸導電型碳化硅晶體生長的重大技術突破。值得一提的是，得益于晶體生長及加工設備的高度自給能力，晶盛機電實現了設備與工藝的深度融合，為協同創新奠定堅實基礎。這一優勢不僅讓公司在技術工藝調整、產能快速投放及成本精細化控制方面具備顯著競爭優勢，還能根據碳化硅下游應用領域的探索需求靈活調整生產方案，快速響應行業發展趨勢，搶占市場先機。
來源：晶盛機電
此次浙江晶瑞SuperSiC貫通的12英寸碳化硅襯底加工中試線，全面覆蓋晶體加工、切割、減薄、倒角、研磨、拋光、清洗、檢測等全流程工藝。更為關鍵的是，產線所有環節均采用國產設備與自主研發技術，其中高精密減薄機、倒角機、雙面精密研磨機等核心加工設備，均由晶盛機電歷經多年自主攻關完成研發，打破了國外設備在高端碳化硅加工領域的壟斷。至此，晶盛機電正式形成12英寸碳化硅襯底從核心裝備研發到材料生產的完整產業閉環，產業鏈自主可控能力大幅提升。
晶盛機電稱，公司將加速推進12英寸碳化硅襯底產線的量產進程，致力于為全球客戶提供高質量、低成本的大尺寸碳化硅襯底產品。同時，公司將持續攜手產業鏈上下游伙伴，深化技術協同與產業合作，共同推動我國第三代半導體產業實現高質量、規模化發展。
來源：晶盛機電官微、晶盛機電半年報
（中國粉體網編輯整理/初末）
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