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雙腔室UHV磁控濺射鍍膜系統
報價:面議
品牌: 韞茂科技
產地: 福建
關注度: 2930
型號: QBT-P
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產品介紹

雙腔室超高真空雙磁控測射系統 QBT-P 


微信圖片_20220223162253.jpg

磁控濺射技術原理

    在陰極靶的表面上方形成一個正交電磁場。當濺射產生的二次電子在陰極位降區內被加速為高能電子后,并不直接飛向陽極,而是在正交電磁場作用下作來回振蕩的近似擺線的運動。高能電子不斷與氣體分子發生碰撞并向后者轉移能量,使之電離而本身變成低能電子。這些低能電子*終沿磁力線漂移到陰極附近的輔助陽極而被吸收,避免高能電子對極板的強烈轟擊,消除了二級濺射中極板被轟擊加熱和被電子輻照引起的損傷,體現出磁控濺射中極板“低溫”的特點。由于外加磁場的存在,電子的復雜運動增加了電離率,實現了高速濺射。


磁控濺射技術特點

    成膜速率高,基片溫度低,膜的粘附性好,可實現大面積鍍膜


微信圖片_20220223162304.jpg


技術參數

    

QBT-P 技術參數 Technical Specifications (超導Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制備)
超高真空腔體 UHV Chamber2個UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空Ultimate Pressure<3E-9Torr
排氣速率Pumping Spead從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
基板加熱 Wafer HeatingRT-900oC
離子束清洗 Ion Milling考夫曼離子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV; Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蝕均一性<3%
磁控濺射SputteringDC or RF Power Supply, 基板與靶材距離連續可調Wafer and Target Space can Change Continoulsly
基板傳輸 Wafer Transfer高度可靠和可重復的基板傳輸能力
人機界面 HMI全自動化人機操作界面
安全Safety工業標準安全互鎖Industry Safety Interlock,報警Alarm,EMO


工藝展示


微信圖片_20220223162258.jpg


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